NTGS3443B
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P (pk)
Test Type = 1 sq in 2 oz
0.02
t 1
t 2
R q JA = 1 sq in 2 oz
0.01
Single Pulse
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (s)
Figure 12. FET Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料
NTGS3443T1 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
NTGS3446T1 MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-TSOP
NTGS3447PT1G MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP
NTGS3455T1 MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
NTGS4111PT2G MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
NTGS4141NT1G MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
NTGS5120PT1G MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
NTHC5513T1 MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET
相关代理商/技术参数
NTGS3443T1 功能描述:MOSFET 20V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGS3443T1/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts
NTGS3443T1G 功能描述:MOSFET 20V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGS3443T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
NTGS3443T2G 功能描述:MOSFET PFET 20V 0.10R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGS3446 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 5.1 Amps, 20 Volts N−Channel TSOP−6
NTGS3446/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 5 Amps, 20 Volts
NTGS3446T1 功能描述:MOSFET 20V 5.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube